手机内存卡与磁卡放一起会出现什么情况

应该不会出现什么情况。除非非常长的磁性，才会使内存卡的数据遗失内存的读写是靠场效应管的东西通过栅极加电压完成读写的.闪存的读写方式：闪存的储存单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄露。采用这种结构，使得储存单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。 与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于遂道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。而NOR型闪存擦除数据仍是基于遂道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。